اچ کردن سطوح می‌تواند موجب وارد شدن آسیب به سطح نمونه شود. محققان روش جدیدی ارائه کرده‌اند که با آن سطح اچ شده ولی آسیب نمی‌بیند. در این روش از محلول شیمیایی با ترکیب خاصی استفاده می‌شود که حاوی فلز است.
محققان دانشگاه ایلینویز روش جدیدی برای اچ کردن شیمیایی الگوهای نیمه هادی آرسنید گالیوم ارائه کردند. این نیمه هادی در پیل‌های خورشیدی، دیودهای نشر نوری، ترانزیستورهای اثرمیدان، خازن‌ها و حسگرها مورد استفاده قرار می‌گیرد.
لی رهبر این تیم تحقیقاتی نتایج کار خود را در نشریه Nano Letters به چاپ رسانده است.
خواص فیزیکی یک نیمه هادی بستگی به ساختار آن دارد. بنابراین ویفرهای نیمه‌هادی با اچ شدن تبدیل به ساختارهایی با خواص الکتریکی و نوری قابل تنظیم می‌شوند. معمولا با دو روش اچ کردن انجام می‌شود. اچ مرطوب، که با استفاده از یک محلول شیمیایی خورنده، سطح اچ می‌شود. اچ خشک، که با استفاده از پرتوی الکترونی سطح بمباران می‌شود. چنین الگوهایی برای نانوساختارهایی با نسبت تصویر بالا (رابطه میان پهنا و ارتفاع یک عکس) یا اجسام بسیار کوچک ضروری است. نسبت تصویر بالا در بسیاری از ادوات اپتوالکترونیکی لازم است.
هرچند سیلیکون ماده بسیار فراوانی در طبیعت است اما مواد گروه سه و پنج کارایی بالاتری را در حوزه اپتوالکترونیک دارا هستند. متاسفانه اچ خشک کردن این مواد بسیار دشوار است زیرا منجر به آسیب سطح نیمه هادی می‌شود. نیمه‌هادی‌های گروه سه و پنج بیشتر مستعد این آسیب هستند.
برای حل این مشکل لی و همکارانش از روش اچ شیمیایی مبتنی بر فلز("MacEtch") استفاده کردند. این روش قبلا برای سیلیکون اعمال شده است. برخلاف دیگر روش‌های مرطوب، این روش در یک جهت انجام می‌شود، از بالا به پایین. برپایه اظهارات لی، این روش بسیار ارزان‌تر و سریع‌تر از دیگر روش‌ها است. این گروه تحقیقات برای اعمال روش MacEtchدر نیمه هادی‌های آرسنید گالیوم محلول و شرایط واکنش را تغییر داده و بهینه کردند.
این واکنش دو مرحله دارد: اول فیلم نازکی روی سطح آرسنید گالیوم قرار داده می‌شود سپس نمونه در موحلول MacEtch غوطه ور می‌گردد. به دلیل وجود فلزات در محلول، تنها بخشی که با فلز در تماس است اچ می‌شود. پس از اچ شدن نمونه شستشه شده بدون این که آسیبی دیده باشد.
لی می‌گوید ترکیب MacEtch و لیتوگرافی می‌تواند روش جالبی برای تولید سطوح با نسبت تصویر بالا باشد. در حال حاضر محققان در حال بهینه سازی شرایط هستند.
